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        • 產品名稱:進口ALD設備

          產品型號:

          產品報價:

          產品特點:進口ALD設備:ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性,可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

          進口ALD設備的詳細資料:

          進口ALD設備概述:原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術,具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性,可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

          進口ALD設備特點:

          • 占地面積小
          • 計算機控制,Labview軟件全自動工藝控制
          • 360A厚的AL2O3膜,誤差為±1A
          • 三維鍍膜,接近100%的階梯覆蓋率
          • 設備集成安全氣柜
          • 10mTorr的極限真空
          • 可支持6“,8”基片(升級支持12“,或定制更大尺寸)
          • 樣品臺可加熱至400℃(可選加熱到500℃)
          • 手動/自動上下載片可選
          • 支持多達7路的50ml的液態或固態前驅體瓶源

          進口ALD設備選配:

          • 下游式遠程平面ICP源或中空陰極離子源,支持PEALD
          • 自動上下片,單片或25片cassette
          • 增加額外的液態qia前驅體或額外的fan'ying反應氣路
          • 300l/sec的磁懸浮渦流分子泵,5*10-7Torr極限真空
          • 大尺寸的基片或fe粉末的沉積
          • QCM原位膜厚監控系統

          進口ALD設備應用:

          • Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
          • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
          • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
          • Nano laminates納米復合材料
          • 高K介質
          • 疏水性涂覆
          • 鈍化層
          • 高深寬比擴散阻擋層的銅連接
          • 微流控ying'yo應用的保形性涂覆
          • 燃料電池z中諸如催化層的單金屬涂覆 

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