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        • NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12” 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
        • NPE-4000(ICPA)全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6” 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
        • 微波等離子化學氣相沉積系統: NM的微波PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12” 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
        • NPE-4000(A)全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12” 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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